Параметры биполярных транзисторов
1.Предельно допустимые параметры режима эксплуатации
IK max (IK и max) | максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора; |
PК max (PК и max) | максимально допустимая постоянная (импульсная) рассеиваемая мощность коллектора; |
UКЭ | постоянное напряжение коллектор-эмиттер; |
UКЭR | постоянное напряжение коллектор-эмиттер при определённом сопротивлении в цепи база-эмиттер; |
UКЭО гр | граничное напряжение биполярного транзистора; |
UКБ max | максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база; |
UЭБ max | максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база. |
2.Статические параметры биполярных транзисторов
IКБО | постоянный обратный ток коллектора; |
IКЭR | постоянный обратный ток коллектор-эмиттер при определённом сопротивлении в цепи база-эмиттер; |
IЭБО | постоянный обратный ток эмиттера; |
UКЭ нас | напряжение насыщения коллектор-эмиттер; |
UБЭ нас | напряжение насыщения база-эмиттер. |
3.Параметры в режиме малого сигнала
h21э | коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером; |
h11э | входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером; |
h22э | выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе в схеме с общим эмиттером; |
Cк | емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается; |
Cэ | емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного смещения на эмиттере емкость уменьшается. |
4.Частотные параметры
f21 | предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора: частота, на которой модуль передачи тока |h21э| уменьшается на 3 дБ, т.е. до 0,7; |
Fгр | граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой |h21э| транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, равен единице. |
Kш | коэффициент шума биполярного транзистора; |
Kур | коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора; |
Pвых | выходная мощность биполярного транзистора. |